Має понад 50 публікацій, зокрема
Публікації по ВСС у мультишарових плівках
1. Запорожец Т. В., Гусак А. М., Устинов А. И. / Условия распространения фронта СВС-реакции в нанослойных фольгах, контактирующих с теплопроводящим материалом / The Paton welding Journal – 2011. – №8– P.37-41.
2. Zaporozhets T. V., Gusak A. M. Role of finite vacancy relaxation rate at SHS reactions in nanosized multilayers //Defect and Diffusion Forum. – 2011. – V. 309-310. – P.215-222. DOI: 10.4028/www.scientific.net/DDF.309-310.215
3. Zaporozhets T. V., Gusak A. M., Ustinov A. I. SHS reactions in nanosized multilayers – analytic model versus numeric model // International Journal of Self_Propagating High_Temperature Synthesis. – 2010. – Vol. 19, No. 4. – P. 227–236. DOI: 10.1080/09500839.2011.616180
4. Запорожец Т.В., Гусак А.М, Устинов А.И. Моделирование стационарного режима реакции СВС в нанослойных материалах (феноменологическая модель). 1. Одностадийная реакция // Современная электрометаллургия. – 2010. – Т.1. – С. 40 46.
Публікації по еволюції наноооболонок
5. A.M.Gusak, F.Hodaj, T.Zaporozhets Thermodynamics of the Void Nucleation in Nanoparticles// Philosophical Magazine Letters. – 2011. DOI:10.1080/09500839.2011.616180
6. Подолян О. М., Запорожець Т. В. Формування та стягування порожнин у нанодротинках – дві стадії єдиного процесу// Український фізичний журнал. – 2011. – Т.56, №9. – C.933-943. http://ujp.bitp.kiev.ua/files/file/papers/56/9/560909pu.pdf
7. Gusak A.M., Zaporozhets T.V., Lyashenko Yu. O., Kornienko, S., Pasichnyy, M.O., Shirinyan, A.S. Diffusion-controlled Solid State Reactions in Alloys, Thin-Films, and Nanosystems, Wiley-VCH, Berlin (2010). Монографія
8. Gusak A.M., Zaporozhets T.V. Hollow nanoshell formation and collapse in binary solid solutions with large range of solubility // J. Phys.: Condens. Matter. – 2009. – V.21. – Р. 415303-415313. DOI: 10.1088/0953-8984/21/41/415303
9. Gusak A.M., T.V. Zaporozhets, K.N. Tu, and Goesele U. Kinetic analysis of the instability of hollow nanoparticles // Philosophical Magazine. – 2005. – V.85. – P. 4445-4464. DOI: 10.1080/14786430500311741
Публікації по електроміграції нанопор
10. Gan Zhenghao, Gusak A.M., Shao W., Chen Zhong, and Mhaisalkar S.G., Zaporozhets T., Tu K.N. Analytical modeling of reservoir effect on electromigration in Cu interconnects // J. Mater. Res. – 2007. – V. 22, No. 1. – P. 152-156. DOI: 10.1557/JMR.2007.0001
11. Z. H. Gan, W. Shao, M. Y. Yan, A. V. Vairagar, T. Zaporozhets, M. A. Meyer, A. Krishnamoorthy, K. N. Tu, A. Gusak, E. Zschech, and S. G. Mhaisalkar Understanding the Impact of Surface Engineering, Structure, and Design on Electromigration through Monte Carlo Simulation and In-Situ SEM Studies // AIP Conf. Proc. – 2006. – V. 817, No. 1. – P. 34-42. DOI: 10.1063/1.2173529
12. Гусак А.М., Запорожець Т.В., Пасічний М.О. Твердофазні реакції – нове розуміння старих проблем // Фундаментальні орієнтири науки: Хімія та наукові основи перспективних технологій. – Київ: Академперіодика, 2005. – С. 282-303. (Вісник Черкаського університету. – 2005. – Вип. 79. – С. 25 -50)
13. Zaporozhets T.V., A.M. Gusak, K.N. Tu, and Mhaisalkar S.G. Three-dimensional Simulation of Electromigration – Induced Void Migration at Dielectric - Metallic Thin Film Interfaces // Journal of Applied Physics. – 2005. – V.98 – P. 103508-10. DOI: 10.1063/1.2131204
14. A. V. Vairagar, S. G. Mhaisalkar, A. Krishnamoorthy, K. N. Tu, A. M. Gusak, T. Zaporozhets, M. A. Meyer, and E. Zschech Study of Electromigration Induced Void Nucleation, Growth, and Movement in Cu Interconnects // AIP Conf. Proc. – 2004. – V. 741, No. 1. – P. 135-147. DOI: 10.1063/1.1845843
Публікації по ударному навантаженню
15. A. M. Gusak, A.Bogatyrev, A.Kovalchuk, S.Kornienko, Gr.Lucenko, Yu.Lyashenko, A.Shirinyan, T.Zaporozhets Nucleation in Nanosystems: Some New Concepts // Usp. Fiz. Met., v. 5, 433-502 (2004).
16. А.М.Гусак, А.О.Богатырев, Т.В.Запорожец, А.А.Ковальчук, С.В.Корниенко, Г.В.Луценко, Ю.А.Ляшенко, А.С.Ширинян Модели твердофазных реакцій. Черкаси: ЧНУ, 2004. – 314 с. Монографія
17. T.V. Zaporozhets MD-Simulation of diffusion and Structural Transformations Under Pulse Loading // Proceedings of DT02 (International conference “Diffusion and thermodynamics of materials”, Institute of Physics of Materials, Brno, Czech Republic, September 2002), p.216–220.
18. D.S. Gertzricken, T.V. Zaporozhets, A.M. Gusak Possible Mechanism of anomalous masstransfer under pulse loading // Defect and Diffusion Forum – Vols. 194–199 (DIMAT-2000, Paris), 1469–1476. 10.4028/www.scientific.net/DDF.194-199.1469
Методичні видання
19. Гусак А.М., Гриценко В.Г., Запорожець Т.В. Статистична фізика – основні положення та моделі. Черкаси: ЧДУ, 1998. – 288 с.
20. Запорожець Т.В., Луценко Г.В. ПК. Апаратне забезпечення. Черкаси: ЧДУ, 2003. – 168 с.
Список основних наукових праць Гусака Андрія Михайловича
Монографії А.М.Гусака
1. K.N.Tu, A.M.Gusak “Kinetics of Nanomaterials”, Wiley (Hoboken, USA), 2014.
2. A.M.Gusak, T.V.Zaporozhets, Yu.O.Lyashenko, S.V.Kornienko, M.O. Pasichnyy, A.S.Shirinyan, Diffusion-controlled Solid State Reactions: in Alloys, Thin-Films, and Nanosystems, Wiley-VCH, Berlin-Weinheim, 2010.
3. Gusak A. Diffusion, Reactions, Coarsening — some new ideas. Cherkasy National University Publ., Cherkasy — monograph (in English), 2004
4. Гусак А.М., Богатирьов А.О., Запорожец Т.В. и др. (Под ред. Гусака А.М.) Модели твердофазных реакций. Изд. Черкасского университета, 2004.
5. Н. В. Сторожук, Т. В. Запорожець, А. М. Гусак. Кінетика вакансій та пор у дифузійно контрольованих процесах // Монографія. – Черкаси: ФОП Гордієнко Є.І., 2014. – 142 с.
Розділи авторства А.М.Гусака в монографіях
1. Gusak, A., Kozubski, R., & Tyshchenko, D. Grain Growth in Open Systems. In Diffusion Foundations Trans Tech Publications (Switzerland). 2015, Vol. 5, pp. 229-244.
2. A. M. Gusak and T.V. Zaporozhets, Chapter 6. Interaction between Inverse Kirkendall Effect and Kirkendall Effect in “Nanoshells and Nanowires Silicon and Silicide Nanowires – Applications, Fabrication and Properties” by King-Ning Tu (UCLA, USA), Yu Huang (UCLA, USA) Print ISBN: 9789814303460 PanStanford Publishing (Singapore), 2013, pp 245-323.
3. A.M.Gusak. Thermodynamics of irreversible processes – chapter in encyclopedia “Inorganic materials science”, ed. by G.G,Gnesin and V.V. Skorokhod. Istitute of materials science propblems of National Academy of Sciences, Ukraine, p. 239-260 (2008) in Russian
4. Gusak, A.M., and F. Hodaj. "Nucleation in a Concentration Gradient." Chapter 10 in "Nucleation Theory and Applications", ed.J.Schmelzer, Wiley VCH (2005): 375-417.
Навчальні посібники А.М.Гусака
1. A.M.Gusak A.O.Kovalchuk,. Solid State Physics – bilingual textbook, recommended for universities by Ministry of Education and Science of Ukraine, Cherkasy, 2012
2. A.O.Kovalchuk, A.M.Gusak. Nonequilibrium Thermodynamics and Physical Kinetics – bilingual textbook, Cherkasy, 2010
3. А.М.Гусак, А.О.Ковальчук, І.Дорошенко. Фізика твердого тіла/Solid State Physics – частина1 (part1) білінгвальний посібник Видавництво ЧНУ, 2011
4. Гусак А.М., Гриценко В.Г., Запорожець Т.В. Статистична фізика — основні положення та моделі (посібник рекомендований МОНУ), Черкаси, 1998.
Main Papers:
Навчально-науковий інститут інформаційних та освітніх технологій здійснює підготовку за наступними спеціальностями:
Освітній рівень "бакалавр"
Денна форма
111 Математика (Математична економіка та економетрика) (пропозиції щодо обсягу державного замовлення у 2017 р.– 10 місць)
014 Середня освіта (Математика) (пропозиції щодо обсягу державного замовлення у 2017 р.– 10 місць, максимальний обсяг державного замовлення у 2018 р. - 15 місць)
014 Середня освіта (Математика, інформатика) (максимальний обсяг державного замовлення у 2018 р. - 5 місць)
014 Середня освіта (Математика, економіка) (максимальний обсяг державного замовлення у 2018 р. - 5 місць)
Конкурсні предмети та вагові коефіцієнти: українська мова і література - 0,2 (мінімальний бал - 100); математика - 0,45 (мінімальний бал - 100); фізика або іноземна мова - 0,2 (мінімальний бал - 100), атестат – 0,1, підготовчі курси університету – 0,05.
104 Фізика та астрономія (пропозиції щодо обсягу державного замовлення у 2017 р.– 10 місць)
014 Середня освіта (Фізика) (пропозиції щодо обсягу державного замовлення у 2017 р.– 10 місць)
105 Прикладна фізика та наноматеріали
Конкурсні предмети та вагові коефіцієнти: українська мова і література - 0,2 (мінімальний бал - 100); математика - 0,45 (мінімальний бал - 100); фізика або іноземна мова - 0,2 (мінімальний бал - 100), атестат – 0,1, підготовчі курси університету – 0,05.
113 Прикладна математика (пропозиції щодо обсягу державного замовлення у 2017 р.– 20 місць)
Конкурсні предмети та вагові коефіцієнти: українська мова і література - 0,2 (мінімальний бал - 100); математика - 0,5 (мінімальний бал - 100); фізика або іноземна мова - 0,2 (мінімальний бал - 100), атестат – 0,1.
126 Інформаційні системи та технології (Інтелектуальний аналіз даних)
Конкурсні предмети та вагові коефіцієнти: українська мова і література - 0,2 (мінімальний бал - 100); математика - 0,4 (мінімальний бал - 100); фізика або іноземна мова - 0,3 (мінімальний бал - 100), атестат – 0,1.
151 Автоматизація та комп’ютерно-інтегровані технології (пропозиції щодо обсягу державного замовлення у 2017 р.– 18 місць)
Конкурсні предмети та вагові коефіцієнти: українська мова і література - 0,2 (мінімальний бал - 100); математика - 0,45 (мінімальний бал - 100); фізика або іноземна мова - 0,2 (мінімальний бал - 100), атестат – 0,1, підготовчі курси університету – 0,05.
014 Середня освіта (інформатика)
Конкурсні предмети та вагові коефіцієнти: українська мова і література - 0,2 (мінімальний бал - 100); математика - 0,45 (мінімальний бал - 100); фізика або іноземна мова - 0,2 (мінімальний бал - 100), атестат – 0,1, підготовчі курси університету – 0,05.
Заочна форма
111 Математика (Математична економіка та економетрика)
Конкурсні предмети та вагові коефіцієнти: українська мова і література - 0,2 (мінімальний бал - 100); математика - 0,45 (мінімальний бал - 100); фізика або іноземна мова - 0,2 (мінімальний бал - 100), атестат – 0,1, підготовчі курси університету – 0,05.
014 Середня освіта (Математика)
Конкурсні предмети та вагові коефіцієнти: українська мова і література - 0,2 (мінімальний бал - 100); математика - 0,45 (мінімальний бал - 100); фізика або іноземна мова - 0,2 (мінімальний бал - 100), атестат – 0,1, підготовчі курси університету – 0,05.
Конкурсні предмети та вагові коефіцієнти: українська мова і література - 0,2 (мінімальний бал - 100); математика - 0,5 (мінімальний бал - 100); фізика або іноземна мова - 0,2 (мінімальний бал - 100), атестат – 0,1.
151 Автоматизація та комп’ютерно-інтегровані технології
Конкурсні предмети та вагові коефіцієнти: українська мова і література - 0,2 (мінімальний бал - 100); математика - 0,45 (мінімальний бал - 100); фізика або іноземна мова - 0,2 (мінімальний бал - 100), атестат – 0,1, підготовчі курси університету – 0,05.
Освітній рівень "магістр"
Денна форма
111 Математика (обсяг держзамовлення у 2016 р. – 8 місць)
014 Середня освіта (Математика) (пропозиції щодо обсягу державного замовлення у 2017 р.– 10 місць, максимальний обсяг державного замовлення у 2018 р. - 15 місць)
014 Середня освіта (Математика, інформатика) (максимальний обсяг державного замовлення у 2018 р. - 5 місць)
014 Середня освіта (Математика, економіка) (максимальний обсяг державного замовлення у 2018 р. - 5 місць)
104 Фізика та астрономія (обсяг держзамовлення у 2016 р. – 8 місць)
014 Середня освіта (фізика) (обсяг держзамовлення у 2016 р. – 18 місць)
113 Прикладна математика (обсяг держзамовлення у 2016 р. – 7 місць)
011 Освітні, педагогічні науки (Освітні вимірювання) (обсяг держзамовлення у 2016 р. – 10 місць)
Заочна форма
014 Середня освіта (Математика) (пропозиції щодо обсягу державного замовлення у 2017 р.– 10 місць, максимальний обсяг державного замовлення у 2018 р. - 5 місць)
014 Середня освіта (Математика, інформатика) (максимальний обсяг державного замовлення у 2018 р. - 3 місця)
014 Середня освіта (Математика, економіка) (максимальний обсяг державного замовлення у 2018 р. - 2 місця)
Правила Прийому до Черкаського національного університету імені Богдана Хмельницького у 2018 році
Детальна інформація про кожну зі спеціальностей приведена у відповідних пунктах меню.
атестат – 0,1
вага балу за успішне закінчення підготовчих курсів університету – 0,05